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Pekín, China
RealStable® GS06 Conduction-cooled Diode Laser Array
- Fabricante: Beijing RealLight Technology
Longitud de onda central λc (nm): 796~808 | Tolerancia de longitud de onda δλc (nm): ±5 | Potencia de salida por barra (w): 200 | Número de barras: 9 | Pitch barra a barra (mm): 0.6 | Ancho espectral width (fwhm)...
Pekín, China
WV12 808nm-1800W Macro Channel Diode Laser Array
Longitud de onda central λc（nm）: 808 | Tolerancia de longitud de onda δλc（nm）: ±15 | Potencia de salida（w）: 1800 | Número de barras: 18 | Espaciado de barra a barra（mm）: 1.86 | Tamaño de punto（mm）: 10 X 31.62 | Á...
Pekín, China
WV11 808nm-1200W Macro Channel Diode Laser Array
Longitud de onda central λc（nm）: 808 | Tolerancia de longitud de onda δλc（nm）: ±15 | Potencia de salida（w）: 1200 | Número de barras: 12 | Espaciado de barra a barra（mm）: 3.15 | Tamaño de punto（mm）: 10 X 34.7 | Án...
Pekín, China
WV13 808nm-2400W Macro Channel Diode Laser Array en español
Longitud de onda central λc（nm）: 808 | Tolerancia de longitud de onda δλc（nm）: ±15 | Potencia de salida（w）: 2400 | Número de barras: 24 | Espaciado de barra a barra（mm）: 2.18 | Tamaño de punto（mm）: 22 X 24 | Ángu...
Pekín, China
WV01 808nm-1200W FAC Macro Channel Diode Laser Array
Longitud de onda central λc（nm）: 808 | Tolerancia de longitud de onda δλc（nm）: ±15 | Potencia de salida（w）: 1200 | Número de barras: 12 | Espaciado de barra a barra（mm）: 2.18 | Tamaño de punto（mm）: 10 X 24.00 | Á...
Pekín, China
RealStable® GS15 Conducción-enfriado en vertical Diode Láser Array apilado
- Fabricante: Beijing RealLight Technology
Longitud de onda central λc (nm): 940 | Tolerancia de longitud de onda δλc (nm): ±5 | Potencia de salida por barra (w): 100 | Número de barras: 1~2 | Longitud de la barra (mm): 10 | Pitch barra a barra (mm): 0.8 ...
Pekín, China
RealStable® AA-2 Series Conduction-cooled Diode Laser Array
- Fabricante: Beijing RealLight Technology
Longitud de onda central λc (nm): 790~812 | Tolerancia de longitud de onda δλc (nm): ±3 | Potencia de salida por barra (w): 100 | Número de barras por pila: 8 | Pitch barra a barra (mm): 0.43 | Área de emisión (m...
Pekín, China
RealStable® GS12 Conducción-enfriado en vertical Diode Láser Array apilado
- Fabricante: Beijing RealLight Technology
Longitud de onda central λc (nm): 940 | Tolerancia de longitud de onda δλc (nm): ±5 | Potencia de salida por barra (w): 100 | Número de barras: 1~2 | Longitud de la barra (mm): 10 | Pitch barra a barra (mm): 0.8 ...
Pekín, China
RealStable® PA-1 Series Conduction Cooled Polygonal Diode Laser Array
- Fabricante: Beijing RealLight Technology
Longitud de onda central λc (nm): 790~812 | Tolerancia de longitud de onda δλc (nm): ±3 | Potencia de salida por barra (w): 100 | Número de barras por pila: 1~4 | Pitch barra a barra (mm): 0.43 | Ancho espectral ...
Pekín, China
Pekín, China
Pekín, China
Pekín, China
NCS NCS-PAUT automatic ultrasonic phased array flaw detection equipment for bars
- Fabricante: Steel Nano
Nombre del instrumento: Equipo automático de detección de fallas por matriz de fases ultrasonora NCS-PAUT para barras | Modelo de instrumento: NCS-PAUT
Pekín, China
Pekín, China